麦思浦半导体推出新产品MSG120T65HQC1，这是一款专为高效和高功率应用而设计的尖端绝缘栅双极晶体管（IGBT）。MSG120T65HQC1凭借其卓越的性能特性和稳健的设计，在电力电子行业树立了新的标杆。
MSG120T65HQC1在120A时具有1.8V的低集电极-发射极饱和电压（VCE（sat）），可确保高速开关和卓越的系统效率。其紧凑的参数分布确保了在不同操作条件下性能的一致性，使其成为高要求应用的理想选择。
该设备具有软电流关断波形，可减少电磁干扰（EMI）并提高整体系统性能。这使其成为噪声敏感应用的绝佳选择。
工作和储存温度范围为-55°C至+175°C，可确保在极端环境中的可靠性能。用于焊接的最高引线温度为300°C，便于轻松安全地安装。
MSG120T65HQC1具有低开关损耗，导通损耗（Eon）高达1.2mJ，关断损耗（Eoff）高达2mJ。这转化为系统效率的提高和热量的减少。
MSG120T65HQC1采用TO-247Plus封装，具有出色的热性能和机械稳定性。其低热阻值可确保高效散热，将设备温度保持在安全工作范围内。
MSG120T65HQC1非常适合各种应用，包括但不限于：
·HEV/EV牵引逆变器：其高电流处理能力和低VCE（sat）使其成为电动和混合动力电动汽车（HEV/EV）牵引逆变器的绝佳选择。
·辅助DC/AC转换器和UPS系统：该设备高效可靠的开关特性使其非常适合辅助转换器和不间断电源（UPS）。
·电机驱动器：其坚固的设计和卓越的性能参数使MSG120T65HQC1成为电机驱动器的理想解决方案，提高了效率并降低了运营成本。
·其他软开关应用：该设备的软开关功能使其适用于各种对噪声敏感和高性能的应用。
麦思浦半导体的MSG120T65HQC1凭借其卓越的性能、高效率和坚固的设计，成为电力电子行业的游戏规则改变者。这种IGBT解决方案非常适合各种高功率和高要求的应用，有望彻底改变我们对功率转换的看法。
麦思浦半导体致力于为客户提供市场上最先进、最可靠的半导体器件。
