MS05N250HGE0是麦思浦半导体推出的2500V超高压MOSFET，进一步扩大了超高压系列MOSFET的产品阵容。
该产品采用平面技术，电流500mA，电压2500V，导通电阻150Ω，TO-263（D2PAK）封装，应用于新能源、通信、医疗、光伏、航空航天等领域。
²100%雪崩测试
²快速本征二极管
²栅极电荷最小化
²非常低的固有电容
²高速切换
Product Name | VDS | ID(25°C) | VGS | Qg | Qgs | Qgd | Package |
MS05N250HGE0 | 2500 V | 500 mA | ±30 V | 7.4 nC | 0.7nC | 5.3nC | TO-263 |
高压电源
光伏逆变器
切换应用
MS05N250HGE0现已上市销售。
